Intel P35/G33系列芯片组详解及评测(11)

支持DDR3内存

　　Intel新一代P35及G33芯片组正式登场，同时内建DDR2及DDR3内存控制器的策略，除满足满足用户不同需求外，另一重意义则在于揭开了系统内存升级换代的新篇章。

　　虽然DDR2内存已达到DDR2-1066水平，但JEDEC( 电子工业联盟的半导体工程标准化组织)并未将DDR2-1066定为业界标准，而是转向了DDR3。DDR3内存从DDR3-800速度起跳，预计2008年中推出顶级DDR3-1600速度。

　　据内存大厂Micron指出，DDR3内存模块初期市场需求较低、产能相对于较少，因此售价相比同容量的DDR2模块出高50% ~ 80%不等(视速度而定)，预期DDR3售价须在2008年底才能回落至与DDR2模块相约的水平；而DDR3模块需求则估计约至2009年下半年，才会超过DDR2模块成为主流，2010年则可望占到市场的6成。

　　此外，Micron亦预期DDR3内存寿命将至2014年，下一代内存DDR4将于2011年面世，再度上演内存世代交替的一幕。

　　DDR3特色 : 8Bit Prefetch技术

　　DDR3内存是基于DDR2技术作出改良，其中，显著强化的8 Bit Prefetch技术，令DDR3拥有最高速传送性能。

　　要理解8 Bit Prefetch技术，需要从内存的工作机制谈起。内存是通过不停充电及放电动作，以储存所需数据，在DDR内存尚未面市前，内存核心频率与内存I/O频率相同，内存核心每周期只会传取1 Bit的数据，因此100MHz的SD RAM传输速度为100Mbps。在CPU频率不断提升的情况下，内存速度也面临需同步增强的压力，才能避免成为系统运算的瓶颈，但提升SD RAM频率，在技术上存在着很大的困难，因此业界遂提出DDR SD RAM技术。DDR SDRAM改良了传统SD RAM只能在充电时才能传取数据模式，改为充电及放电时均可，令相同频率下传输速度可提升1倍，为配合每周期进行2次存取动作，DDR内存每周期将会传取2 Bit的数据，称为2Bit Prefetch技术，这样，100MHz的DDR SDRAM传输速度增长至200MBps。

　　由于内存颗粒内Memory Cell Array(内存储存数组)，一直是内存频率增长缓慢的主要原因，因此，DDR2改良了Prefetch技术，采用4 Bit Prefetch技术，DRAM核心与I/O Buffer频率不再同步，Memory Cell Array以每周期将会内部传送4 Bit的数据给I/ O Buffer单元，而I/O Buffer则以2倍于Memory Cell Array的频率运作，再通过DDR内存技术的充电及放电时均可传取，让相同的DRAM核心频率下，DDR2相比DDR传输速度又提高了一倍。

　　DDR2内存颗粒频率是计算Clock Frequence(即I/O Buffer速度)，因此DDR2-800的内存颗粒，DRAM核心为200MHz，I/O Buffer单元则以400MHz，通过DDR内存技术，达成为800Mbps速度。

　　而DDR3则更进一步，把Prefetch技术提升至8 Bit，内存颗粒内的Memory Cell Array，每周期会内部传送8 Bit的数据给I/O Buffer单元，而I/O Buffer进一步以4倍于DRAM核心频率工作，因此在相同的DRAM核心频率下，DDR3相比DDR2传输速度又再提升1倍。举例来说，DRAM核心仅为100MHz，I/O Buffer单元则以400MHz运作，通过DDR内存技术，同时达成800MBps速度。

　　为配合进一步提高的传输速度，DDR3不仅强化现有技术，亦加入多项全新功能，其中，除更动内存颗粒的Pin Out，提供更多Power及Ground脚位，改良讯号质素外，更加入Dynamic On-Die Terminmation技术、ZQ校准功能及强制使用Differential Data Strobe讯号等，令I/O工作更趋稳定。