Intel P35/G33系列芯片组详解及评测(12)

DDR3内存(续)

　　DDR3内存 : 低延迟低功耗

　　DDR3除高传输速度外，低功耗亦是其中一大卖点，由于制程上的进步，大部份厂商均以90奈米或更为先进的程制生产DDR3颗粒，加上与DDR2相同传输速度的DDR3内存，DRAM核心频率较低，因此DDR3工作电压由上代的1.8V下调至1.5V。

　　此外，I/O Buffer采用了低功耗设计，I/O Driver由上代的34奥姆改为18奥姆，因此在相同传输速度下，DDR3功耗表现较DDR2减少约3成，因此更适合用于移动计算机平台上，进一步提升电池续航能力。

　　另一方面，DDR3首次引入了Master Reset功能，不仅可修复错误的内存状态，提升系统稳定性，同时系统可采用Reset指令，停止减低或停止更新频率，在数据不会遗失情况下进入低功耗模式。

　　然而，不少消费者却被CAS延迟值数值所误导，认为DDR3内存在延迟值表现将不及DDR2，但据Samsung半导体内存产品规划事业群高级工程师 Kim Gyou Joong表示，此说法完全是错误、无知的观念，事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其内存延迟值均为15ns。 Kim Gyou Joong进一步指出，CAS Latency是指内存需要经过多少个周期，才能开始读写数据，但要计算整个内存模块的延迟值，还需要把内存颗粒运作频率计算在内。

　　目前，DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运作频率计算在内，其内存模块的延迟值应为13.125、12.ns及11.25ns，相比DDR2内存模块改善约~25%(按照JEDEC官方规划)，因此消费者误将 CAS数值当作是内存模块的延迟值是不正确的观念。

　　由于DDR2技术已十分成熟，现时各大厂商所生产的内存颗粒CAS数值，已比JEDEC规格要求得更低，同样地，DDR3颗粒生产技术亦在微调中，预期在不久的将来，各大内存厂商将可推出较JEDEC规格更强的DDR3产品。