Intel P35/G33系列芯片组详解及评测(8)

南桥 : ICH9(续)

　　支持Intel Turbo Memory技术

　　而应用于Centrino Santa Rosa平台上的 Intel Turbo Memory 关键技术，亦会移植至桌面平台上，ICH9R、DH及DO将可对应Intel 29AE20AA0控制芯片(代号Diamond Lake)；基于Microsoft新一代Windows Vista操作系统的ReadyBoost及ReadyDrive功能，可缩减操作系统及应用程序的启动时间，提升读写时间，并有效减少硬盘启动及转动次 数的使用频率及耗电，进一步延长硬盘寿命。

　　ReadyBoost是一项硬盘缓冲技术，能通过NAND内存装置加速系统及常用程序启动，虽然传统硬盘在读写速度上比一般使用USB 2.0接口的NAND内存装置更快，但随机读取的延迟值却较高，一般来说可达8ms以上，而NAND内存装置在这方面却可降低至0.1ms，因此， Microsoft将一些较零碎细小的文件，可由NAND内存装置中读取，而连续性及较大的文件则由硬盘中读取，有效强化系统及常用软件启动效率。

　　与一般USB 2.0 NAND Memory设备不同的是，Intel Turbo Memory并不会成为系统中一个Flash Drive，而只能通过Intel Turbo Memory Console软件，启动ReadyBoost或ReadyDrive功能。

　　Intel表示，Intel Turbo Memory除拥有低至0.1ms的读写延迟值外，由于使用高速的PCI-Express协议，读写速度较USB 2.0接口更胜一筹，令ReadyBoost效果更加明显。

　　除此之外，Intel Turbo Memory技术亦能将一般硬盘仿真成为Hybrid硬盘，把写入的数据先存放在模块的NAND Memory中，代替硬盘内建NV-RAM，可加快读写速度、加速系统从休眠模式中恢复，及降低硬盘功耗。

　　当文件需要写入硬盘时，系统会先把文件暂时写进Intel Turbo Memory中，由于Intel Turbo Memory较硬盘有较高的写入速度，延迟值亦较低，使得效率有所提升，不少情况下，系统会读回刚写进硬盘的数据，因此存放于NV-RAM的数据将会快速地被读取。