内存时序设置详解(1)

文章出处:综合  作者:HighDiy  发布时间:2006-05-09
内容概要

关键词:内存 时序 参数 设置

导言:是否正确地设置了内存时序参数,在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。

  与传统的SDRAM相比,DDR(Dual date rate SDRSM:双倍速率SDRAM),最重要的改变是在界面数据传输上,其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地,对于其标称的如DDR400,DDR333,DDR266数值,代表其工作频率其实仅为那些数值的一半,也就是说DDR400工作频率为200MHz。

FSB与内存频率的关系

  首先请大家看看FSB(Front Side Bus:前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。

FSB/MEM比率 实际运行频率
1/1 200MHz
1/2 100MHz
2/3 133MHz
3/4 150MHz
3/05 120MHz
5/6 166MHz
7/10 140MHz
9/10 180MHz

  对于大多数玩家来说,FSB和内存同步,即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后,内存的实际运行频率是FSBx2,所以,DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz,则同步后,内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。

FSB与内存速度
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系

  强烈建议采用1:1的FSB与内存同步的设置,这样可以完全发挥内存带宽的优势。

内存时序设置

  内存参数的设置正确与否,将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释,以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路,提高电脑系统的性能。

  涉及到的参数分别为:

  • CPC : Command Per Clock
  • tCL : CAS Latency Control
  • tRCD : RAS to CAS Delay
  • tRAS : Min RAS Active Timing
  • tRP : Row Precharge Timing
  • tRC : Row Cycle Time
  • tRFC : Row Refresh Cycle Time
  • tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
  • tWR : Write Recovery Time
  • ……及其他参数的设置

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