内存时序设置详解(5)

文章出处:综合  作者:HighDiy  发布时间:2006-05-09
内容概要

关键词:内存 时序 参数 设置

导言:是否正确地设置了内存时序参数,在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。

tREF : Refresh Period

  可选的设置:Auto, 0032-4708,其步进值非固定。

  Refresh Period (tREF),表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。

  先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位:微秒,即:一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。

  1552= 100mhz(?.??s)
  2064= 133mhz(?.??s)
  2592= 166mhz(?.??s)
  3120= 200mhz(?.??s)
  ---------------------
  3632= 100mhz(?.??s)
  4128= 133mhz(?.??s)
  4672= 166mhz(?.??s)
  0064= 200mhz(?.??s)
  ---------------------
  0776= 100mhz(?.??s)
  1032= 133mhz(?.??s)
  1296= 166mhz(?.??s)
  1560= 200mhz(?.??s)
  ---------------------
  1816= 100mhz(?.??s)
  2064= 133mhz(?.??s)
  2336= 166mhz(?.??s)
  0032= 200mhz(?.??s)
  ---------------------
  0388= 100mhz(15.6us)
  0516= 133mhz(15.6us)
  0648= 166mhz(15.6us)
  0780= 200mhz(15.6us)
  ---------------------
  0908= 100mhz(7.8us)
  1032= 133mhz(7.8us)
  1168= 166mhz(7.8us)
  0016= 200mhz(7.8us)
  ---------------------
  1536= 100mhz(3.9us)
  2048= 133mhz(3.9us)
  2560= 166mhz(3.9us)
  3072= 200mhz(3.9us)
  ---------------------
  3684= 100mhz(1.95us)
  4196= 133mhz(1.95us)
  4708= 166mhz(1.95us)
  0128= 200mhz(1.95us)

  如果采用Auto选项,主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息,系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能,则需手动设置刷新周期的参数。一般说来,15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存(即单颗容量为16MB的内存),而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存(即单颗容量为32MB的内存)。注意,如果tREF刷新周期设置不当,将会导致内存单元丢失其数据。

  另外根据其他的资料显示,内存存储每一个bit,都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器,最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电,数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法(行刷新),每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。

  tREF和tRAS一样,不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行,1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现,如果内存质量优良,当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时,会得到最佳的性能/稳定性比。


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