内存时序设置详解(7)
DRAM Drive Strength
可选的设置:Auto,1-8,步进值为1。
DRAM Drive Strength(也被称为:driving strength),表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度,数值越高代表信号强度越高,增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好,三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。
如果设为Auto,系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言,表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了,一般说来,1、3、5 、7都是性能较弱的参数,其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置,8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7,其他芯片的内存建议设为6或8。
DRAM Data Drive Strength
可选的设置:Auto,1-4,步进值为1。
DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度,数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时,增加DRAM的驾驭能力。因此,如果你的系统内存的读取负荷很高,则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频,提升内存数据线的信号强度,可以提高超频后速度的稳定性。此外,提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此,除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM,建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。
要处理大负荷的数据流时,需要提高内存的驾驭能力,你可以设为Hi或者High。超频时,调高此项参数可以提高稳定性。此外,这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以,除非超频,一般用户建议设为Lo/Low。
Idle Cycle Limit
可选的设置:Auto,0-256,无固定步进值。
Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值,也就是读取一个内存页面之前,强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。
BIOS中的该值设置为Auto时,实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32。Idle Cycle Limit值越低越好。
Dynamic Counter
可选的设置:Auto, Enable, Disable。
Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启(Enable),则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss:PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的,启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit,并且根据冲突的发生来动态调节。
BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能,而关闭该设置,可以使系统的更稳定。
R/W Queue Bypass
可选的设置:Auto,2x,4x,8x,16x。
R/W Queue Bypass表示“读/写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口:Device Control Interface)最后一次的操作被选定前,忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似,只是优化器影响内存中的读/写队列。
Bypass Max
可选的设置:Auto, 0x-7x, 步进值为1。
Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前,最后进入DCQ(Dependence Chain Queue)的可以被优化器忽略的时间。
BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x,两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定,则保留该值。但如果不稳定,或者要超频,就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大,则说明系统性能越强,该值越小,则会是系统越稳定。
32 Byte Granulation
可选的设置:Auto,Disable (8burst),Enable(4burst)。
32 Byte Granulation表示"32位颗粒化"。当该参数设置为关闭(Disable)时,就可以选择突发计数器,并在32位的数据存取的情况下,最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。
绝大多数情况下,建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些。
| 共7页: 上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] 7 |

搜索